| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SGR2N60UFDTM |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | Fairchild Semiconductor | 168 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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SGR2N60UFDTM参数 产品类别：分离式半导体产品-IGBT - 单路 说明：IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.6V @ 15V，1.2A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2.4A 功率 - 最大：25W 输入类型：标准 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeEBC15DRAS 矩形A3CKA-3006G 晶体管 - 专用型MCH6935-TL-E 磁性 - 霍尔效应A1221ELHLX-T 配件DA-70550 圆形MS3108A32-17P 圆形CA3100E20-7PB09 矩形A3DDG-2036M TVS - 二极管AK10-190C 端子 - 环形B-106-1402 |
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